专利摘要显示，本申请涉及一种异质结太阳能电池、光伏组件及光伏系统。该异质结太阳能电池包括衬底，衬底相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和第一透明导电层；异质结太阳能电池还包括金属线层和第二透明导电层，金属线层和第二透明导电层均设置于衬底的至少一侧，金属线层位于对应侧的第一透明导电层背离衬底的一侧，第二透明导电层位于金属线层背离衬底的一侧。如此，可在降低异质结太阳能电池的铟耗量的同时，使得异质结太阳能电池保持较高的转化效率，利于异质结太阳能电池的发展。
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天合光能申请异质结太阳能电池专利，降低铟耗量的同时保持较高的转化效率
- 电力网
- 2024-03-26
- 来源：金融界
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据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“异质结太阳能电池、光伏组件及光伏系统“，公开号CN117747681A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种异质结太阳能电池、光伏组件及光伏系统。该异质结太阳能电池包括衬底，衬底相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和第一透明导电层；异质结太阳能电池还包括金属线层和第二透明导电层，金属线层和第二透明导电层均设置于衬底的至少一侧，金属线层位于对应侧的第一透明导电层背离衬底的一侧，第二透明导电层位于金属线层背离衬底的一侧。如此，可在降低异质结太阳能电池的铟耗量的同时，使得异质结太阳能电池保持较高的转化效率，利于异质结太阳能电池的发展。
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专利摘要显示，本申请涉及一种异质结太阳能电池、光伏组件及光伏系统。该异质结太阳能电池包括衬底，衬底相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和第一透明导电层；异质结太阳能电池还包括金属线层和第二透明导电层，金属线层和第二透明导电层均设置于衬底的至少一侧，金属线层位于对应侧的第一透明导电层背离衬底的一侧，第二透明导电层位于金属线层背离衬底的一侧。如此，可在降低异质结太阳能电池的铟耗量的同时，使得异质结太阳能电池保持较高的转化效率，利于异质结太阳能电池的发展。
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